電子元器件失效分析
失效分析是一門新興發(fā)展中的學(xué)科，在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。失效分析對產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義，失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個階段，涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加工組裝、測試篩選、客戶端使用等各個環(huán)節(jié)，通過分析工藝廢次品、早期失效、試驗失效、中試失效以及現(xiàn)場失效的樣品，確認失效模式、分析失效機理，明確失效原因，最終給出預(yù)防對策,減少或避兔失效的再次發(fā)生。 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了 現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性I作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。
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測試范圍
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檢測項目
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測試標(biāo)準(zhǔn)
檢測項目
主要涉及的檢測項目:
電測:
連接性測試電參數(shù)測試功能測試
無損檢測:
開封技術(shù)(機械開封、化學(xué)開封、激光開封)
去鈍化層技術(shù)(化學(xué)腐蝕去鈍化層、等離子腐蝕去鈍化層 、機械研磨去鈍化層)
微區(qū)分析技術(shù)(FIB、CP)
制樣技術(shù):
開封技術(shù)(機械開封、化學(xué)開封、激光開封)
去鈍化層技術(shù)(化學(xué)腐蝕去鈍化層、等離子腐蝕去鈍化層、機械研磨去鈍化層)
微區(qū)分析技術(shù)(FIB、CP)
顯微形貌分析:
光學(xué)顯微分析技術(shù)
掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)
表面元素分析:
掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)
俄歇電子能譜分析(AES)
X射線光電子能譜分析(XPS)
二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)
無損分析技術(shù):
X射線透視技術(shù)
三維透視技術(shù)
反射式掃描聲學(xué)顯微技術(shù)(C-SAM)
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